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SI5404BDC-T1-E3

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Numero di parte SI5404BDC-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 115794 pcs
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Numero di parte SI5404BDC-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 115794 pcs Scheda dati SI5404BDC
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead
Altri nomi SI5404BDC-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata N-Channel 20V 5.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Ta)

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