SI4916DY-T1-E3
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| Numero di parte | SI4916DY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.507 | $0.448 | $0.354 | $0.275 | $0.217 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4916DY-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 95945 pcs | Scheda dati | SI4916DY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V | Potenza - Max | 3.3W, 3.5W |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4916DY-T1-E3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A, 10.5A |
| Numero di parte base | SI4916 |
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