SI4888DY-T1-E3
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| Numero di parte | SI4888DY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4888DY-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5835 pcs | Scheda dati | SI4888DY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.6V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4888DY-T1-E3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
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