SI4866BDY-T1-E3
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| Numero di parte | SI4866BDY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.208 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4866BDY-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 105113 pcs | Scheda dati | SI4866BDY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4866BDY-T1-E3-ND SI4866BDY-T1-E3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5020pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | N-Channel 12V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 21.5A (Tc) |
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- Parte#:
TNPW0805205KBEEA - Produttori:
Dale / Vishay - Descrizione:
RES 205K OHM 0.1% 1/5W 0805 - Disponibile:
326790