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SI4823DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4823DY-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 215410 pcs
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Numero di parte SI4823DY-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 215410 pcs Scheda dati SI4823DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie LITTLE FOOT®
Rds On (max) a Id, Vgs 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4823DY-T1-GE3TR
SI4823DYT1GE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Tc)

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