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SI4488DY-T1-E3

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Numero di parte SI4488DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 79243 pcs
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Numero di parte SI4488DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 79243 pcs Scheda dati SI4488DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 50 mOhm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4488DY-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 150V Descrizione dettagliata N-Channel 150V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)

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