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SI4442DY-T1-E3

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Numero di parte SI4442DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 59074 pcs
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Numero di parte SI4442DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 59074 pcs Scheda dati SI4442DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5 mOhm @ 22A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4442DY-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)

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