SI4431BDY-T1-GE3
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| Numero di parte | SI4431BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.182 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4431BDY-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 119127 pcs | Scheda dati | SI4431BDY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta) |
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- Parte#:
1808J0250821KFT - Produttori:
Knowles Syfer - Descrizione:
CAP CER 820PF 25V C0G/NP0 1808 - Disponibile:
123605