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SI4421DY-T1-E3

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Numero di parte SI4421DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 59483 pcs
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Numero di parte SI4421DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 59483 pcs Scheda dati SI4421DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 800mV @ 850µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4421DY-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)

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