SI4413DDY-T1-GE3
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| Numero di parte | SI4413DDY-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.368 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | SI4413DDY-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 96047 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.6V @ 250µA |
| Vgs (Max) | - | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel Surface Mount 8-SOIC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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