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SI4401DY-T1-E3

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Numero di parte SI4401DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 6003 pcs
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Numero di parte SI4401DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6003 pcs Scheda dati SI4401DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5 mOhm @ 10.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4401DY-T1-E3-ND
SI4401DY-T1-E3TR
SI4401DYT1E3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata P-Channel 40V 8.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Ta)

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