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SI4134DY-T1-E3

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Numero di parte SI4134DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 164157 pcs
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Numero di parte SI4134DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 164157 pcs Scheda dati SI4134DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® Rds On (max) a Id, Vgs 14 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 5W (Tc) imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Altri nomi SI4134DY-T1-E3CT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 846pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)

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