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SI4128DY-T1-E3

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Numero di parte SI4128DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 231054 pcs
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Numero di parte SI4128DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 231054 pcs Scheda dati SI4128DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 24 mOhm @ 7.8A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 10.9A (Ta) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.9A (Ta)

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