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SI4038DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4038DY-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4175 pcs
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Numero di parte SI4038DY-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4175 pcs Scheda dati SI4038DY-T1-GE3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4 mOhm @ 15A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4038DY-T1-GE3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4070pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 42.5A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42.5A (Tc)

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