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SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3
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Numero di parte SI3473CDV-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 220724 pcs
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Numero di parte SI3473CDV-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 220724 pcs Scheda dati SI3473CDV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 22 mOhm @ 8.1A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi SI3473CDV-T1-E3-ND
SI3473CDV-T1-E3TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 8V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 12V Descrizione dettagliata P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

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