SI2336DS-T1-GE3
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| Numero di parte | SI2336DS-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.222 | $0.186 | $0.14 | $0.103 | $0.079 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI2336DS-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 246440 pcs | Scheda dati | Si2336DS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 42 mOhm @ 3.8A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SI2336DS-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
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