SI2319DS-T1-GE3
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| Numero di parte | SI2319DS-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.324 | $0.284 | $0.219 | $0.162 | $0.13 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI2319DS-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 166010 pcs | Scheda dati | SI2319DS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 82 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | SI2319DS-T1-GE3CT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | P-Channel 40V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
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