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SI2312CDS-T1-GE3

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Numero di parte SI2312CDS-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 319577 pcs
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Numero di parte SI2312CDS-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 319577 pcs Scheda dati SI2312CDS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi SI2312CDS-T1-GE3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata N-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)

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