SI2306BDS-T1-GE3
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| Numero di parte | SI2306BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.268 | $0.226 | $0.17 | $0.124 | $0.096 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI2306BDS-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 216176 pcs | Scheda dati | Si2306BDS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 47 mOhm @ 3.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SI2306BDS-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.16A (Ta) |
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