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SI2301BDS-T1-E3

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Numero di parte SI2301BDS-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 513608 pcs
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Numero di parte SI2301BDS-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 513608 pcs Scheda dati SI2301BDS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi SI2301BDS-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 6V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)

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