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SI1499DH-T1-E3

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Numero di parte SI1499DH-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 193101 pcs
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Numero di parte SI1499DH-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 193101 pcs Scheda dati SI1499DH
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 800mV @ 250µA
Vgs (Max) ±5V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 78 mOhm @ 2A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi SI1499DH-T1-E3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 4V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 8V
Descrizione dettagliata P-Channel 8V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)

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