SI1065X-T1-GE3
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| Numero di parte | SI1065X-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1065X-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5565 pcs | Scheda dati | Si1065X |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-89-6 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 236mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SI1065X-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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