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SI1034CX-T1-GE3

SI1034CX-T1-GE3
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Numero di parte SI1034CX-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V SC89-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 545881 pcs
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Product parameter

Numero di parte SI1034CX-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V SC89-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 545881 pcs Scheda dati SI1034CX-T1-GE3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 396 mOhm @ 500mA, 4.5V Potenza - Max 220mW
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi SI1034CX-T1-GE3-ND
SI1034CX-T1-GE3TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 8V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 610mA (Ta)

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