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SI1031X-T1-GE3

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Numero di parte SI1031X-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 302294 pcs
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Numero di parte SI1031X-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 302294 pcs Scheda dati SI1031R,X
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±6V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SC-75A Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 8 Ohm @ 150mA, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 300mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SC-75A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 155mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75A Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 155mA (Ta)

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