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SI1016X-T1-GE3

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Numero di parte SI1016X-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 318571 pcs
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Numero di parte SI1016X-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 318571 pcs Scheda dati Si1016X
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SC-89-6 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 4.5V Potenza - Max 250mW
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi SI1016X-T1-GE3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Tipo FET N and P-Channel Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata Mosfet Array N and P-Channel 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 485mA, 370mA Numero di parte base SI1016

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