SI1002R-T1-GE3

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| Numero di parte | SI1002R-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.03 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1002R-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 760865 pcs | Scheda dati | SI1002R |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-75A | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 560 mOhm @ 500mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 220mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-75A |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 610mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-75A | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 610mA (Ta) |
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