S3MHE3/9AT
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| Numero di parte | S3MHE3/9AT |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | S3MHE3/9AT | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5450 pcs | Scheda dati | S3A - S3M |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.15V @ 2.5A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 1000V | Contenitore dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 2.5µs | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | DO-214AB, SMC | Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 1000V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 10µA @ 1000V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 3A | Capacità a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Numero di parte base | S3M |
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