IRFSL31N20DTRR
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| Numero di parte | IRFSL31N20DTRR |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.687 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRFSL31N20DTRR | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 57203 pcs | Scheda dati | IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 82 mOhm @ 18A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole I2PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
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