IRFBC30LPBF
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| Numero di parte | IRFBC30LPBF |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRFBC30LPBF | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5510 pcs | Scheda dati | IRFBC30S,L, SiHFBC30S,L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-262-3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi | *IRFBC30LPBF | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole TO-262-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
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