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IRFB9N65A

IRFB9N65A
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Numero di parte IRFB9N65A
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5667 pcs
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Numero di parte IRFB9N65A fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5667 pcs Scheda dati Packaging InformationIRFB9N65A
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 930 mOhm @ 5.1A, 10V Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi *IRFB9N65A temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1417pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V Descrizione dettagliata N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Tc)

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