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2N7002-T1-E3

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Numero di parte 2N7002-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 273135 pcs
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Product parameter

Numero di parte 2N7002-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 273135 pcs Scheda dati 2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-236 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi 2N7002-T1-E3-ND
2N7002-T1-E3TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta)

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  • Produttori:Nexperia
  • Descrizione:MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23
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  • Produttori:Nexperia
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