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2N6661JTXV02

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Numero di parte 2N6661JTXV02
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5465 pcs
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Numero di parte 2N6661JTXV02 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5465 pcs Scheda dati 2N6661(2)/2N6661JANTX(V)
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-39 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V Dissipazione di potenza (max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 90V Descrizione dettagliata N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 860mA (Tc)

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