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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DDTB133HU-7-F

DDTB133HU-7-F

DDTB133HU-7-F
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Numero di parte DDTB133HU-7-F
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1011400 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte DDTB133HU-7-F fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1011400 pcs Scheda dati DDTB (zzzz) UDDTBU
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-323 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 3.3 kOhms
Potenza - Max 200mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA

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