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S34MS04G200BHV003

S34MS04G200BHV003
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Numero di parte S34MS04G200BHV003
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 9356 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte S34MS04G200BHV003 fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 9356 pcs Scheda dati S34MS01_02_04G2
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 45ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore 63-BGA (11x9) Serie MS-2
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 63-VFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria FLASH Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 45ns 63-BGA (11x9) Tempo di accesso 45ns

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