S34MS01G200BHB000
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| Numero di parte | S34MS01G200BHB000 |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 210 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.064 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | S34MS01G200BHB000 | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 17664 pcs | Scheda dati | S34MS01_02_04G2 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 45ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Serie | Automotive, AEC-Q100, MS-2 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | FLASH | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 45ns | Tempo di accesso | 45ns |
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