S29GL512T11DHV023
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| Numero di parte | S29GL512T11DHV023 |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2200 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.37 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | S29GL512T11DHV023 | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 13697 pcs | Scheda dati | S29GL01GT, S29GL512T |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 60ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | FLASH - NOR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) | Serie | GL-T |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 64-LBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | FLASH | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9) | Tempo di accesso | 110ns |
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