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CYD36S18V18-200BGXC

CYD36S18V18-200BGXC
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Numero di parte CYD36S18V18-200BGXC
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5031 pcs
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Numero di parte CYD36S18V18-200BGXC fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5031 pcs Scheda dati CYDxxSxxV18
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore 484-FBGA (23x23) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 484-FBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 3.3ns 484-FBGA (23x23) Frequenza dell'orologio 200MHz
Numero di parte base CYD36S18 Tempo di accesso 3.3ns

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