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CYD18S72V18-200BGXI

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Numero di parte CYD18S72V18-200BGXI
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5359 pcs
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Numero di parte CYD18S72V18-200BGXI fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5359 pcs Scheda dati CYDXXS(72,36,18)V18
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore 484-FBGA (23x23) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 484-FBGA
Altri nomi 428-3291
CYD18S72V18-200BGXI-ND
CYD18S72V18200BGXI
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 18Mb (256K x 72)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 200MHz 3.3ns 484-FBGA (23x23)
Frequenza dell'orologio 200MHz Numero di parte base CYD18S72
Tempo di accesso 3.3ns

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