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CYD18S72V18-200BBXC

CYD18S72V18-200BBXC
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Numero di parte CYD18S72V18-200BBXC
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5402 pcs
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Numero di parte CYD18S72V18-200BBXC fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5402 pcs Scheda dati CYDxxSxxV18
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore 256-FBGA (17x17) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 256-LBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 5 (48 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 18Mb (256K x 72) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) Frequenza dell'orologio 200MHz
Numero di parte base CYD18S72 Tempo di accesso 3.3ns

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