CYD18S18V18-200BBAXI
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| Numero di parte | CYD18S18V18-200BBAXI |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CYD18S18V18-200BBAXI | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5653 pcs | Scheda dati | CYDXXS(72,36,18)V18 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V | Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 256-LBGA |
| Altri nomi | 428-3290 CYD18S18V18-200BBAXI-ND CYD18S18V18200BBAXI |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17) |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz | Numero di parte base | CYD18S18 |
| Tempo di accesso | 3.3ns |
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