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CY7C1318CV18-250BZXC

CY7C1318CV18-250BZXC
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Numero di parte CY7C1318CV18-250BZXC
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4198 pcs
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Numero di parte CY7C1318CV18-250BZXC fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4198 pcs Scheda dati CY7C1318CV18, CY7C1320CV18
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II
Contenitore dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 165-LBGA
Altri nomi 428-2172
CY7C1318CV18-250BZXC-ND		 temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
Frequenza dell'orologio 250MHz Numero di parte base CY7C1318

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