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CY7C1313KV18-250BZXI

CY7C1313KV18-250BZXI
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Numero di parte CY7C1313KV18-250BZXI
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4439 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)
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Product parameter

Numero di parte CY7C1313KV18-250BZXI fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4439 pcs Scheda dati CY7C(131x,1911)KV18
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II
Contenitore dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 165-LBGA
Altri nomi 428-3299
CY7C1313KV18-250BZXI-ND
CY7C1313KV18250BZXI
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria SRAM
Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15) Frequenza dell'orologio 250MHz
Numero di parte base CY7C1313

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