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CY7C1312BV18-167BZCT

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Numero di parte CY7C1312BV18-167BZCT
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5819 pcs
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Numero di parte CY7C1312BV18-167BZCT fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5819 pcs Scheda dati CY7C1310,12,14,1914BV18
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II
Contenitore dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 165-LBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 167MHz 165-FBGA (13x15) Frequenza dell'orologio 167MHz
Numero di parte base CY7C1312

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