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CY14V104NA-BA45XI

CY14V104NA-BA45XI
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Numero di parte CY14V104NA-BA45XI
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4107 pcs
Prezzo di Riferimento
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299 pcs
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Numero di parte CY14V104NA-BA45XI fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4107 pcs Scheda dati CY14V104LA,NA
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 45ns
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 48-FBGA (6x10) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 48-TFBGA
Altri nomi CY14V104NABA45XI temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria NVSRAM
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 48-FBGA (6x10) Numero di parte base CY14V104
Tempo di accesso 45ns

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