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CY14V104NA-BA25XIT

CY14V104NA-BA25XIT
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Numero di parte CY14V104NA-BA25XIT
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 3858 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte CY14V104NA-BA25XIT fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 3858 pcs Scheda dati CY14V104LA,NA
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 25ns
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 48-FBGA (6x10) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 48-TFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria NVSRAM Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10)
Tempo di accesso 25ns

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