CY14B116N-BA25XI
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| Numero di parte | CY14B116N-BA25XI |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC NVSRAM 16M PARALLEL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 112 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $23.359 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CY14B116N-BA25XI | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC NVSRAM 16M PARALLEL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1656 pcs | Scheda dati | CY14(B,E)116L,N,S |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 25ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-FBGA (10x18) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | NVSRAM | Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 60-FBGA (10x18) |
| Tempo di accesso | 25ns |
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