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CY14B104N-BA45XC

CY14B104N-BA45XC
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Numero di parte CY14B104N-BA45XC
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5670 pcs
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Numero di parte CY14B104N-BA45XC fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5670 pcs Scheda dati CY14B104L/N
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 45ns
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 48-FBGA (6x10) Serie -
imballaggio Tube Contenitore / involucro 48-TFBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria NVSRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 48-FBGA (6x10) Numero di parte base CY14B104
Tempo di accesso 45ns

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