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CY14B104LA-BA25XI

CY14B104LA-BA25XI
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Numero di parte CY14B104LA-BA25XI
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4668 pcs
Prezzo di Riferimento
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$7.602

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Numero di parte CY14B104LA-BA25XI fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4668 pcs Scheda dati CY14B104LA/NA
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 25ns
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 48-FBGA (6x10) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 48-TFBGA
Altri nomi CY14B104LABA25XI temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria NVSRAM
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10) Numero di parte base CY14B104
Tempo di accesso 25ns

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