CY14B104L-BA20XIT
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| Numero di parte | CY14B104L-BA20XIT |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CY14B104L-BA20XIT | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4988 pcs | Scheda dati | CY14B104L/N |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 20ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 48-FBGA (6x10) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 48-TFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | NVSRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 20ns 48-FBGA (6x10) | Numero di parte base | CY14B104 |
| Tempo di accesso | 20ns |
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