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CDBJFSC101200-G

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Numero di parte CDBJFSC101200-G
fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 12019 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs50 pcs
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Numero di parte CDBJFSC101200-G fabbricante Comchip Technology
Descrizione DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 12019 pcs Scheda dati CDBJFSC101200-G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7V @ 10A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V Contenitore dispositivo fornitore TO-220F
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns Contenitore / involucro TO-220-2 Full Pack
Altri nomi 641-1933 Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky Descrizione dettagliata Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A (DC) Through Hole TO-220F
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100µA @ 1200V Corrente - raddrizzata media (Io) 10A (DC)
Capacità a Vr, F 780pF @ 0V, 1MHz

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